日发期货

国产半导体生长火热，2022年我国整年集成电路产量3241.9亿块，出口数目总额2734亿块。不外，中国大陆生产的晶圆有约莫一半是由外洋以及中国台湾区域的公司生产的。

中国大陆排名靠前的十大芯片制造企业中，有五家是国际芯片制造巨头，包罗：三星、英特尔、SK 海力士、台积电、联电等。

在华建厂并非特例，早在20年前，诸多国际巨头公司纷纷赴华搭建其子公司。随着美国一再宣布相关“禁令”，海内的外资及台资晶圆厂也在逐渐修改一些设计。

01 海内有哪些外洋晶圆厂？

英特尔

前不久，英特尔CEO帕特·基辛格接见中国，受到了中国政府多位官员的会见。植根中国近40年，帕特·基辛格示意，英特尔中国是英特尔的战略之重。

英特尔（中国）在1994年确立于上海，2007年，英特尔宣布在大连市建设12英寸晶圆制造工厂，这是英特尔在亚洲*的晶圆制造厂。

三年后，英特尔大连晶圆厂宣布投产，在2015年前主要生产65nm制程的产物，之后则主要生产3D NAND存储产物，这是英特尔闪存营业的主要产线。

2017年5月，英特尔还专门在其大连工厂公布了接纳 3D NAND 手艺的全新数据中央级固态盘。2018年9月，英特尔那时*进的 96 层 3D NAND 产物也在大连投产。

随着2020年，英特尔宣布向SK海力士卖出其NAND闪存营业，英特尔在中国*的晶圆制造工厂也拱手让给 SK 海力士。

三星

三星是最早入驻中国的企业，早在1993年，三星就在天津确立了合资公司。三星在海内的晶圆厂有两座，划分是在苏州、西安。1994年，三星电子（苏州）半导体有限公司确立，主要从事半导体产物封装、测试营业。

2012年，三星在西安确立自己全资子公司三星（中国）半导体有限公司，生产存储芯片。2014年投产的一期项目共投资137亿美元，2021年10月满产的二期项目投资了133亿美元。

从产能方面看，*工厂每月12万片、第二工厂每月可加工13万片。因此，三星电子在西安工厂生产的NAND闪存的月生产量到达了25万片。这一产能占三星电子NAND闪存总产量的40%以上。凭证之前的计划，三星还将投资150亿美元建设西安三期项目，主要制造5G芯片和汽车芯片。

SK 海力士

如前文所述，英特尔出售其NAND闪存营业，SK 海力士就是其收购置家。现在，SK海力士在中国大陆无锡、大连（从英特尔手中收购而来）拥有晶圆厂。

SK 海力士在2019年完成第二工厂C2F的建设。随着C2F项目的延续推进，SK海力士无锡工厂的DRAM芯片产量约为公司整体产量的一半，占全球产量的15%。

此外，在2021年SK海力士还将其位于韩国青州的8英寸晶圆代工厂M8迁至了无锡，预计2022年所有投产后将月产11.5万片8吋晶圆，高于原来韩国M8工厂的10万片月产能。

2022年，SK海力士示意出资2.394万亿韩元（约合人民币126.7亿元），这批资金将于今年底至2025年用于对无锡DRAM工厂的弥补投资。

台积电

2004年，台积电在上海建设8英寸晶圆厂，一期工程月产35000 片8 英寸集成电路芯片。之后，经由扩建其总产能到达110000 片/月。

2016年，台积电确定在南京建设12英寸厂。凭证台积电披露，其南京Fab16厂现在主要制造12nm、16nm工艺的芯片，产能为2万片/月。今后，台积电开暂且董事会，宣布设计斥资28．87亿美元（约合人民币187亿元），在南京扩建28nm芯片生产线，到2023年中期月产能规模到达4万片。

联电

联电在大陆厦门、苏州均有晶圆厂。联电的苏州晶圆厂为和舰芯片公司，2003年5月正式投产，现在月产量约8万片，产值占联电整体合并营收约5%。2014年，舰芯片设立子公司厦门联芯，最先建设12 英寸晶圆厂，并于2016 年11月投产，其总设计月产能为 50000片，现在月产能靠近20000片。

电池圈里，没有共同富裕

总体来看，大陆本土的一些*的晶圆厂由SK海力士、三星、台积电和联电所有。现在中国集成电路制造业中，外资和台资的占比仍然到达70%。

02 设计最先发生转变

美国一直在公布对于中国半导体相关的出口管制，其中2022年出台了两项影响大陆晶圆厂*的新规。

详细来看，美国划定美国企业生产的先进半导体生产装备必须获得美国商务部的允许证，才气向中国出口。此举直接限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取16/14nm及以下先进逻辑制程芯片、128层及以上NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造装备的能力。

这就包罗了三星、SK海力士、台积电等国际企业在中国大陆的晶圆厂。

虽然此前，三星电子与SK海力士均获得了美国商务部的宽免允许，使得他们一年内位于中国大陆的晶圆厂的生产都将暂时不会受到禁令的影响。但随着时间流逝，这些晶圆厂也都在早做计划。

首先来看三星和SK海力士。三星西安晶圆厂*进的产物为128层3D NAND，SK海力士无锡晶圆厂*进的产物为17nm DRAM。现在在中国大陆晶圆厂*进的手艺制程，都超出了美国新规的限制要求。

近期，三星电子在中国西安工厂的NAND闪存生产亮起了红灯。

有剖析以为，随着生产NAND闪存的Mother Fab（优先启用最新工艺的工厂）——平泽工厂和西安工厂手艺差距不停拉大，西安工厂的运营效率相对而言正在降低。换言之，在Mother Fab*投入使用的200层以上最尖端3D NAND手艺和工艺难以教授给西安工厂。

据韩国媒体BusinessKorea报道称，在今年二季度，三星的西安工厂将大幅度将产。就中国西安一厂而言，预计将减产至每月 110,000 片，比 2022 年第四序度的每月 125,000 片削减 12%。此外，西安二厂预计将推出 135,000 片，比之前的 14.5 万张削减了约 7%。

三星电子虽在去年第四序度谋划业绩电话聚会上称，不会人为减产，但随着中国半导体工厂工艺升级受阻，预计将泛起自然减产的效果。业界人士注释称：“NAND价钱从去年到今年一直呈走低趋势，在生产效率竞争中，依附西安工厂的100层3D NAND势必会落伍于SK海力士、美光等公司”，“三星应该会制订战略降低西安工厂的比重。”

SK 海力士也传出新闻。

韩国*的媒体《朝鲜日报》报道，从今年*季度最先到年底，SK海力士决议将*的DRAM生产据点之一的中国无锡工厂晶圆投入量定在每月少于16万张。该数值相较于去年削减了约10%。

在 2023 年第二季度，SK 海力士将晶圆开工量每月削减约 30 %。而且，SK海力士原本划将其无锡晶圆厂的主流工艺从 1Y 纳米过渡到 1Z 纳米，从而削减传统工艺的产量。现在，由于受到美国禁令的限制，该公司转而选择增添其 21 纳米生产线的份额，专注于 DDR3 和 DDR4 4Gb 产物。

台积电设计扩产南京厂，在传出ASML的光刻机受到限制后，也有蜚语传出“南京工厂扩产暂停”。不外，前不久在台积电宣布业绩讲述时，已经回应“台积电正在按设计在南京扩展28纳米产能，延续恪守所有规章制度以支援客户。”

由于联电早在2018年就宣布放弃12nm以下先进制程的投资，美国的禁令对联电在华工厂的投资影响似乎不大。联电在大陆同比启动扩产设计，厦门联芯的12英寸晶圆厂，产能则已达*阶段满载2.75万片规模，联芯现在将以提升一厂营运效率为主，进一步提升28nm产能比例，并举行28nm及22nm特色工艺研发。

03 内资企业需要加速了

从《全球晶圆产能讲述》来看，2021年全球晶圆月产能约为2160万片200mm当量。而中国大陆的产能约为350万片每月，盘算下来约占全球产能的16％。从区域晶圆产能排名来看，中国大陆的晶圆产能能够排到第三，紧随中国台湾区域。

现在看来，中国集成电路制造业在全行业的占比在逐年提高，到达了28.9%；在全球产业中的比重，已经到达了19.9%。但值得关注的是，中国集成电路制造业中，内资占比仍然只有31.1%。

此为中国半导体行业协会副理事长叶甜春宣布的一张表。从上表中可以看到，2016年-2020年时代，前十大公司中内资晶圆制造企业的销售收入从364.4亿元上涨到567.4亿元，但整体占比却从44%降低到了27.7%。

相比之下，外资晶圆制造企业孝顺的销售收入份额，从2016年的49.1%已经变为了61.3%；台资企业孝顺的收入占比也从6.9%涨到了11%。这说明虽然内资制造企业也在增进，然则其增速远远低于外资企业的增进。

好新闻是，据叶甜春判断：“未来可能随着各地的扩产措施加速，产能最先投入使用，这个情形会获得扭转。”

虽然 SK 海力士、台积电和联电正在扩大他们在中国现有的晶圆厂，然则中国在建的大部门新晶圆厂都归海内实体所有。

作为内资晶圆代工龙头，中芯国际在半导体行业下行周期中，2022年8月拟在天津投资75亿美元建设12英寸晶圆代工生产线项目，计划产能为10万片/月。2023年存储企业扩产好于先前预期，二三线晶圆厂粤芯、晋华、燕东等合计扩产量预计仍有一定增进。